Ultima edición el 16 septiembre, 2021 por JORGE CABRERA BERRÍOS
Todos sabemos que en el cristal semiconductor cada átomo tetravaliente crea un enlace covalente con cuatro átomos vecinos. De esta manera, cada uno de los átomos en el cristal semiconductor obtiene ocho electrones en la órbita más externa. Ahora bien, si un pequeño porcentaje de átomos de impurezas tri valientes están dopados en el cristal semiconductor puro o intrínseco , entonces el comportamiento eléctrico del cristal cambia drásticamente.
Expliquemos cómo los átomos de impurezas desplazan el mismo número de átomos semiconductores en el cristal y ocupan sus posiciones. Ahora, tres electrones de valencia de cada átomo de impureza trivalente crean enlaces covalentes con tres átomos semiconductores vecinos. De esta manera, cada átomo de impureza obtiene 7 electrones de valencia en la órbita más externa.
Pero aún así, falta un electrón en la órbita más externa del átomo de impureza. En otras palabras, hay tres enlaces covalentes completos y un enlace covalente incompleto con un electrón. Por lo tanto, hay una vacante para un electrón, y nos referimos a esta vacante como un hueco.
Cada agujero se crea a partir de un átomo de impureza. Hasta ahora hemos explicado sobre la creación de agujeros, pero no nos enfocamos en cómo un agujero asociado con un átomo de impureza estática puede moverse en el cristal. Pero en un cristal semiconductor, los agujeros también pueden moverse como electrones, pero el mecanismo de movimiento es diferente. Cuando se crea un agujero que es un enlace covalente incompleto, no permanecerá incompleto de por vida. 
Muy pronto el electrón de otros enlaces covalentes vecinos se rompe y se asienta en ese agujero y forma un nuevo enlace covalente. Cuando el electrón se desprende de un enlace covalente, crea un agujero detrás de él. Si miramos el asunto desde un punto de vista relevante, podemos decir que el agujero se mueve de su posición anterior a una nueva posición.
Lo mismo sucederá en una nueva posición del agujero y, por lo tanto, el agujero se moverá a otra nueva posición. Así es como se mueven los agujeros en un cristal semiconductor. Finalmente, podemos decir que en un semiconductor tipo p hay muchos agujeros que se mueven aleatoriamente dentro del cristal.
Además de los huecos generados debido a los átomos de impurezas trivalentes en el cristal semiconductor de tipo p, también habrá pares de electrones y huecos generados térmicamente. Los pares de huecos de electrones generados térmicamente son los pares de huecos de electrones que se producen debido a la ruptura de los enlaces covalentes debido a las excitaciones térmicas a temperatura ambiente. Estos electrones generados térmicamente aportan electrones libres en el cristal semiconductor de tipo p.
Por lo tanto, el número total de huecos en un semiconductor de tipo p es una suma de huecos debidos a átomos de impurezas trivalentes y huecos generados debido a la excitación térmica, mientras que los electrones libres solo se deben a la excitación térmica. Por tanto, el número de electrones libres en un semiconductor de tipo p es mucho menor que el número de huecos en él. Es por eso que consideramos los huecos como portadores mayoritarios y los electrones se denominan portadores minoritarios en un semiconductor de tipo p.
Las impurezas trivalentes utilizadas para el dopaje de un semiconductor de tipo p son el boro, el galio y el indio.
