Semiconductor intrínseco

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Ultima edición el 21 septiembre, 2023

Los semiconductores intrínsecos son un tipo de material semiconductor que no contiene impurezas añadidas intencionalmente, es decir, no tiene dopantes. Estos materiales tienen una conductividad eléctrica intermedia entre los conductores y los aislantes y son esenciales para el funcionamiento de dispositivos electrónicos como diodos, transistores, células solares y circuitos integrados.

En esta presentación, hablaremos sobre las propiedades y características de los semiconductores intrínsecos, así como su importancia en la tecnología moderna. También discutiremos cómo se fabrican los materiales intrínsecos y cómo se utilizan en la industria electrónica.

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Semiconductor intrínseco: ¿qué es y cómo funciona?

Un semiconductor intrínseco es un material semiconductor puro que no contiene impurezas intencionales. Esto significa que no se han agregado átomos de otros elementos para modificar sus propiedades eléctricas. En cambio, las propiedades eléctricas del semiconductor intrínseco se deben únicamente a la estructura de sus átomos y enlaces químicos.

Un semiconductor intrínseco tiene una banda de energía prohibida (también conocida como «gap de banda») que separa su banda de valencia (nivel de energía ocupado por los electrones) de su banda de conducción (nivel de energía vacío). En un semiconductor intrínseco, el gap de banda es lo suficientemente pequeño como para que algunos electrones puedan moverse de la banda de valencia a la banda de conducción cuando se les suministra energía. Esto significa que un semiconductor intrínseco puede conducir electricidad, pero no de manera tan eficiente como un semiconductor dopado (intencionalmente impuro).

Una de las propiedades más importantes de un semiconductor intrínseco es su resistividad eléctrica, que se mide en ohmios por centímetro (Ω·cm). La resistividad es una medida de la oposición que presenta un material al flujo de corriente eléctrica. En un semiconductor intrínseco, la resistividad es alta debido a la baja cantidad de portadores de carga (electrones y huecos) disponibles para transportar corriente.

Los portadores de carga en un semiconductor intrínseco se crean mediante procesos térmicos o de excitación óptica (por ejemplo, mediante la absorción de luz). Cuando un electrón se excita de la banda de valencia a la banda de conducción, deja atrás un hueco en la banda de valencia. Tanto los electrones como los huecos pueden moverse a través del semiconductor intrínseco y contribuir a la conducción eléctrica.

Las propiedades eléctricas del semiconductor intrínseco se deben únicamente a la estructura de sus átomos y enlaces químicos. La resistividad eléctrica del semiconductor intrínseco es alta debido a la baja cantidad de portadores de carga disponibles para transportar corriente.

Características

El Semiconductor intrínseco es un material semiconductor puro que no cuenta con impurezas añadidas. Este tipo de material se utiliza en la fabricación de dispositivos electrónicos como diodos, transistores y circuitos integrados. A continuación, se detallan las características más importantes de este material:

Dopaje nulo

El Semiconductor intrínseco es un material que no ha sido dopado con impurezas, lo que significa que no tiene carga eléctrica. Esto lo diferencia de los semiconductores dopados, que tienen una carga positiva o negativa en función del tipo de impureza añadida.

Elevada resistividad

Debido a la ausencia de impurezas, el Semiconductor intrínseco presenta una elevada resistividad eléctrica. Esto significa que ofrece una gran oposición al flujo de corriente eléctrica. Por lo tanto, es un material poco conductor y se utiliza en la fabricación de componentes electrónicos que requieren una alta resistencia eléctrica.

Baja movilidad de portadores

Los portadores de carga en un Semiconductor intrínseco son los electrones y los huecos. Debido a la falta de impurezas, la movilidad de estos portadores es baja. Esto significa que los electrones y los huecos tienen dificultades para moverse a través del material. Por lo tanto, la velocidad de propagación de la corriente eléctrica es baja.

Banda de energía prohibida

El Semiconductor intrínseco presenta una banda de energía prohibida, que es la energía mínima necesaria para que un electrón salte de la banda de valencia a la banda de conducción. En el caso del Semiconductor intrínseco, esta banda de energía prohibida es relativamente grande, lo que significa que se necesita una gran cantidad de energía para que los electrones se muevan en el material.

Termalización rápida

El Semiconductor intrínseco tiene una capacidad de termalización rápida, lo que significa que puede absorber energía térmica y transformarla en energía eléctrica. Este proceso se conoce como efecto termoeléctrico y se utiliza en la fabricación de dispositivos de refrigeración termoeléctricos.

En resumen, las características del Semiconductor intrínseco son:

  • Dopaje nulo
  • Elevada resistividad
  • Baja movilidad de portadores
  • Banda de energía prohibida
  • Termalización rápida

Un ejemplo de dispositivo que utiliza Semiconductor intrínseco es el diodo de germanio, que se utiliza en la fabricación de rectificadores de corriente alterna.

Propiedades

Un semiconductor intrínseco es aquel que no contiene impurezas intencionales, como dopantes, para modificar su conductividad. En lugar de ello, su conductividad es determinada por la temperatura y la energía térmica de los electrones en su banda de conducción.

Algunas de las propiedades de los semiconductores intrínsecos son:

  • Conductividad eléctrica: A diferencia de los conductores, como los metales, los semiconductores intrínsecos tienen una conductividad eléctrica intermedia entre los conductores y los aislantes. Su conductividad eléctrica aumenta con la temperatura debido a la mayor cantidad de electrones en la banda de conducción.
  • Banda prohibida: Los semiconductores intrínsecos tienen una banda prohibida de energía entre su banda de valencia y su banda de conducción. Los electrones no pueden saltar a la banda de conducción si su energía es menor que la banda prohibida. La anchura de la banda prohibida determina la conductividad del semiconductor, ya que los electrones tienen que adquirir suficiente energía para saltar a la banda de conducción.
  • Recombinación: Cuando un electrón en la banda de conducción se recombina con un hueco en la banda de valencia, se libera energía en forma de calor o luz. Este proceso de recombinación es importante para la creación de dispositivos electrónicos como los diodos emisores de luz (LEDs).
  • Termoeléctrico: Los semiconductores intrínsecos tienen una propiedad termoeléctrica, lo que significa que pueden generar una diferencia de potencial eléctrico en respuesta a una diferencia de temperatura. Esta propiedad es utilizada en dispositivos termoeléctricos, como los termopares.
  • Fotovoltaico: Los semiconductores intrínsecos también tienen una propiedad fotovoltaica, lo que significa que pueden generar una corriente eléctrica en respuesta a la luz. Esta propiedad es utilizada en células solares para convertir la energía solar en energía eléctrica.
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Componentes

En el contexto de los semiconductores, los componentes son aquellos elementos que conforman la estructura de los dispositivos electrónicos que utilizan estos materiales.

Cristal de silicio

El cristal de silicio es el componente principal de los semiconductores intrínsecos. Este material es un cristal sólido con una estructura atómica periódica, que le confiere propiedades eléctricas únicas. El silicio es el material más comúnmente utilizado para la fabricación de semiconductores debido a su abundancia y a sus propiedades.

Impurezas dopantes

Las impurezas dopantes se utilizan para alterar las propiedades eléctricas del cristal de silicio. Estas impurezas se agregan intencionalmente al cristal durante el proceso de fabricación para aumentar la conductividad eléctrica del material. Los elementos dopantes comunes incluyen boro, fósforo y arsénico.

Banda de valencia

La banda de valencia es la banda de energía más baja en un semiconductor intrínseco. Los electrones en esta banda están fuertemente ligados a los átomos del cristal y no pueden moverse fácilmente. En un material intrínseco, la banda de valencia está completamente llena de electrones.

Banda de conducción

La banda de conducción es la banda de energía más alta en un semiconductor intrínseco. Los electrones en esta banda están débilmente ligados a los átomos del cristal y pueden moverse libremente a través del material cuando se aplica un voltaje. En un material intrínseco, la banda de conducción está vacía.

Gap de energía

El gap de energía es la diferencia de energía entre la banda de valencia y la banda de conducción. En un semiconductor intrínseco, el gap de energía es relativamente pequeño, lo que significa que solo se requiere una pequeña cantidad de energía para excitar un electrón de la banda de valencia a la banda de conducción.

Estos componentes trabajan juntos para crear dispositivos electrónicos que utilizan las propiedades eléctricas únicas de los semiconductores intrínsecos.

Estructura

En la física de los materiales, la estructura se refiere a cómo están organizados los átomos en un material sólido. En el caso del semiconductor intrínseco, se refiere a la disposición de los átomos de silicio y germanio en su red cristalina.

Red cristalina

La red cristalina del semiconductor intrínseco es una estructura tridimensional que se repite en todas las direcciones. Está formada por átomos de silicio y germanio que se organizan en una estructura tipo diamante, donde cada átomo está unido a otros cuatro átomos.

Red cristalina del semiconductor intrínseco

La disposición de los átomos en la red cristalina es importante para determinar las propiedades eléctricas del material. La distancia entre los átomos y la forma en que están dispuestos determinan la banda de energía del material y su capacidad para conducir electricidad.

Banda de energía

La banda de energía del semiconductor intrínseco se refiere a la energía necesaria para excitar a un electrón desde el nivel de energía más bajo hasta el nivel de energía más alto. Esta banda de energía se divide en dos bandas principales: la banda de valencia y la banda de conducción.

La banda de valencia es la banda de energía más baja y está ocupada por los electrones que están fuertemente unidos a los átomos. La banda de conducción es la banda de energía más alta y está vacía. Cuando un electrón se excita lo suficiente, puede saltar de la banda de valencia a la banda de conducción y convertirse en un portador de carga libre.

Banda de energía del semiconductor intrínseco

Portadores de carga

Los portadores de carga son los electrones y los huecos que pueden conducir electricidad en el semiconductor intrínseco. Los electrones son portadores de carga negativa y se encuentran en la banda de conducción. Los huecos son portadores de carga positiva y se encuentran en la banda de valencia.

La cantidad de portadores de carga en el semiconductor intrínseco depende de la temperatura y de la energía térmica de los átomos. A temperaturas bajas, la mayoría de los electrones están unidos a los átomos y no hay muchos portadores de carga. A temperaturas más altas, algunos electrones se excitan y saltan a la banda de conducción, aumentando la cantidad de portadores de carga.

Conducción eléctrica

La conducción eléctrica en el semiconductor intrínseco ocurre cuando los electrones y los huecos se mueven a través del material y se combinan para formar corriente eléctrica. Esto puede ocurrir cuando se aplica un campo eléctrico externo o cuando se expone el material a la luz. La capacidad del semiconductor intrínseco para conducir electricidad depende de la cantidad de portadores de carga y de la movilidad de los mismos.

La disposición de los átomos en la red cristalina determina la banda de energía del material y la cantidad de portadores de carga disponibles para la conducción eléctrica.

Aplicaciones

Un semiconductor intrínseco es aquel que no tiene dopantes añadidos y es puro en su forma natural. Estos materiales son utilizados en una gran variedad de aplicaciones, algunas de las cuales se detallan a continuación:

1. Electrónica

Los semiconductores intrínsecos son utilizados en la fabricación de dispositivos electrónicos tales como transistores y diodos, los cuales son componentes esenciales para la construcción de circuitos integrados.

Además, estos materiales son utilizados en la fabricación de células solares, las cuales convierten la energía solar en energía eléctrica. Los semiconductores intrínsecos son utilizados en las células solares debido a su eficiencia en la conversión de la energía solar en energía eléctrica.

2. Optoelectrónica

Los semiconductores intrínsecos son utilizados en la fabricación de dispositivos optoelectrónicos tales como LED, pantallas de televisores y monitores, y en láseres.

Los LED, por ejemplo, se basan en la emisión de luz a través de la recombinación de electrones y huecos en un material semiconductor. Los semiconductores intrínsecos son utilizados en la fabricación de LED debido a su capacidad de emitir luz con alta eficiencia.

3. Ciencia de materiales

Los semiconductores intrínsecos son utilizados en la investigación de materiales debido a su pureza y alta calidad. Estos materiales son utilizados en experimentos de física y química para estudiar las propiedades de los materiales semiconductores.

Además, los semiconductores intrínsecos son utilizados en la fabricación de materiales compuestos, como el silicio y el germanio, que son utilizados en la industria de la electrónica y la optoelectrónica.

4. Tecnología médica

Los semiconductores intrínsecos son utilizados en la fabricación de dispositivos médicos tales como sensores y monitores de glucosa, los cuales son utilizados en el tratamiento de la diabetes.

Estos dispositivos se basan en la capacidad del material semiconductor para medir la concentración de glucosa en la sangre mediante la medición de la corriente eléctrica generada por la reacción química entre la glucosa y el material semiconductor.

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5. Industria aeroespacial

Los semiconductores intrínsecos son utilizados en la fabricación de dispositivos y sensores utilizados en la industria aeroespacial.

Estos materiales son utilizados en la fabricación de sensores de temperatura y presión utilizados en los motores de los aviones y en los sistemas de control de vuelo.

Estos materiales son esenciales para la fabricación de dispositivos y sistemas avanzados que utilizamos en nuestro día a día.

Conductividad

En el contexto de los semiconductores intrínsecos, la conductividad se refiere a la capacidad de un material para conducir electricidad. En los materiales semiconductores, la conductividad puede ser controlada por la concentración de portadores de carga, que son electrones y huecos.

Portadores de carga

Los portadores de carga son partículas que pueden transportar carga eléctrica a través de un material. En los semiconductores, los portadores de carga pueden ser electrones o huecos.

  • Electrones: Son partículas cargadas negativamente que se mueven a través del material en respuesta a un campo eléctrico. En los semiconductores intrínsecos, los electrones son generados térmicamente a partir de los átomos del material.
  • Huecos: Son ausencias de electrones que se comportan como partículas cargadas positivamente. Los huecos son generados térmicamente a partir de los átomos del material.

Conductividad intrínseca

La conductividad intrínseca de un semiconductor se refiere a su capacidad para conducir electricidad en ausencia de impurezas o dopantes. En los semiconductores intrínsecos, la conductividad es muy baja debido a la baja concentración de portadores de carga.

La conductividad intrínseca de un semiconductor se puede calcular utilizando la siguiente ecuación:

σ = q * μ * n

Donde:

  • σ: Conductividad.
  • q: Carga eléctrica del portador de carga (1.6 x 10^-19 C para electrones y huecos).
  • μ: Movilidad del portador de carga.
  • n: Concentración de portadores de carga.

En los semiconductores intrínsecos, la concentración de portadores de carga es muy baja, lo que resulta en una conductividad intrínseca también muy baja.

Dopaje

El dopaje es el proceso de agregar impurezas a un material semiconductor para aumentar su conductividad. Los dopantes pueden agregar portadores de carga al material, lo que aumenta su conductividad.

Hay dos tipos de dopaje:

  • Dopaje tipo n: Agrega electrones al material, lo que aumenta su conductividad.
  • Dopaje tipo p: Agrega huecos al material, lo que aumenta su conductividad.

El dopaje es un proceso importante en la fabricación de dispositivos semiconductores, ya que permite controlar la conductividad del material y, por lo tanto, su capacidad para transportar cargas eléctricas.

Conclusión

La conductividad intrínseca de un semiconductor es muy baja debido a la baja concentración de portadores de carga, pero se puede aumentar mediante el dopaje con impurezas. El dopaje es un proceso importante en la fabricación de dispositivos semiconductores.

Conductividad

En el contexto de los semiconductores intrínsecos, la conductividad se refiere a la capacidad de un material para conducir electricidad. En los materiales semiconductores, la conductividad puede ser controlada por la concentración de portadores de carga, que son electrones y huecos.

Portadores de carga

Los portadores de carga son partículas que pueden transportar carga eléctrica a través de un material. En los semiconductores, los portadores de carga pueden ser electrones o huecos.

  • Electrones: Son partículas cargadas negativamente que se mueven a través del material en respuesta a un campo eléctrico. En los semiconductores intrínsecos, los electrones son generados térmicamente a partir de los átomos del material.
  • Huecos: Son ausencias de electrones que se comportan como partículas cargadas positivamente. Los huecos son generados térmicamente a partir de los átomos del material.

Conductividad intrínseca

La conductividad intrínseca de un semiconductor se refiere a su capacidad para conducir electricidad en ausencia de impurezas o dopantes. En los semiconductores intrínsecos, la conductividad es muy baja debido a la baja concentración de portadores de carga.

La conductividad intrínseca de un semiconductor se puede calcular utilizando la siguiente ecuación:

σ = q * μ * n

Donde:

  • σ: Conductividad.
  • q: Carga eléctrica del portador de carga (1.6 x 10^-19 C para electrones y huecos).
  • μ: Movilidad del portador de carga.
  • n: Concentración de portadores de carga.

En los semiconductores intrínsecos, la concentración de portadores de carga es muy baja, lo que resulta en una conductividad intrínseca también muy baja.

Dopaje

El dopaje es el proceso de agregar impurezas a un material semiconductor para aumentar su conductividad. Los dopantes pueden agregar portadores de carga al material, lo que aumenta su conductividad.

Hay dos tipos de dopaje:

  • Dopaje tipo n: Agrega electrones al material, lo que aumenta su conductividad.
  • Dopaje tipo p: Agrega huecos al material, lo que aumenta su conductividad.

El dopaje es un proceso importante en la fabricación de dispositivos semiconductores, ya que permite controlar la conductividad del material y, por lo tanto, su capacidad para transportar cargas eléctricas.

Conclusión

La conductividad intrínseca de un semiconductor es muy baja debido a la baja concentración de portadores de carga, pero se puede aumentar mediante el dopaje con impurezas. El dopaje es un proceso importante en la fabricación de dispositivos semiconductores.

Proceso de fabricación

El proceso de fabricación de semiconductores intrínsecos es un proceso complejo que implica varias etapas. A continuación, se detallan las principales etapas del proceso:

Fabricación del cristal de silicio

El primer paso en el proceso de fabricación de semiconductores intrínsecos es la creación del cristal de silicio. Este proceso se realiza mediante la técnica de crecimiento de cristales de Czochralski. Durante este proceso, se funde el silicio y se extrae un cristal de silicio puro mediante la rotación de un lingote de silicio a través de un baño de silicio fundido. Una vez que se ha creado el cristal de silicio, se corta en láminas delgadas llamadas obleas.

Limpieza de las obleas

Las obleas de silicio se someten a una serie de procesos de limpieza antes de continuar con el proceso de fabricación. Estos procesos de limpieza incluyen la eliminación de cualquier impureza que pueda estar presente en la superficie de la oblea. Una oblea limpia es esencial para garantizar la calidad del semiconductor final.

Dopado de las obleas

Una vez que las obleas se han limpiado, se dopan con impurezas para crear zonas de tipo N y tipo P en la oblea. El dopado se realiza mediante la difusión de impurezas en la superficie de la oblea y se controla cuidadosamente para garantizar que se creen las zonas adecuadas de tipo N y tipo P.

Creación de capas

Una vez que se han creado las zonas de tipo N y tipo P, se crean capas adicionales en la superficie de la oblea para mejorar las propiedades eléctricas del semiconductor. Estas capas pueden ser creadas mediante deposición química de vapor (CVD) o mediante epitaxia de haz molecular (MBE).

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Fotolitografía

Una vez que se han creado las capas, se utiliza la fotolitografía para crear patrones en la superficie de la oblea. Durante este proceso, se utiliza una máscara para exponer ciertas áreas de la oblea a la luz y se crea un patrón en la superficie de la oblea. Este patrón se utiliza para crear los circuitos integrados en la superficie de la oblea.

Grabado

Una vez que se ha creado el patrón en la superficie de la oblea, se utiliza un proceso de grabado para eliminar las capas no deseadas y crear los circuitos integrados. El grabado se realiza utilizando ácido para eliminar las capas no deseadas y crear los circuitos integrados.

Empaquetado

Una vez que se han creado los circuitos integrados, se empaquetan para su uso en dispositivos electrónicos. Durante este proceso, se colocan los circuitos integrados en un paquete que los protege y los conecta a otros componentes electrónicos.

Cada etapa del proceso es esencial para garantizar la calidad del semiconductor final y el correcto funcionamiento de los dispositivos electrónicos que lo utilizan.

Diferencias con semiconductor extrínseco

Un semiconductor intrínseco es un material semiconductor en su forma pura, es decir, sin impurezas deliberadamente agregadas a través de un proceso de dopaje. Por otro lado, un semiconductor extrínseco es un material semiconductor que ha sido dopado intencionalmente con impurezas para modificar sus propiedades eléctricas.

Dopaje

El proceso de dopaje es muy importante en la fabricación de semiconductores, ya que permite controlar la conductividad eléctrica del material. El dopaje se realiza mediante la introducción de impurezas en el cristal del semiconductor. Los átomos de impurezas, también conocidos como dopantes, pueden ser átomos de otro elemento químico que tienen electrones adicionales o electrones faltantes en su capa de valencia.

Conductividad

La principal diferencia entre un semiconductor intrínseco y uno extrínseco radica en su conductividad eléctrica. Un semiconductor intrínseco tiene una conductividad eléctrica muy baja, ya que todos los electrones en su estructura cristalina están enlazados covalentemente y no pueden moverse con facilidad. En cambio, un semiconductor extrínseco tiene una conductividad eléctrica más alta debido a la presencia de impurezas dopantes que proporcionan electrones adicionales o electrones faltantes en la estructura cristalina.

Tipo de dopaje

Los semiconductores extrínsecos pueden ser dopados con impurezas de dos tipos: tipo N y tipo P. El dopaje tipo N introduce impurezas que tienen electrones adicionales en su capa de valencia, lo que significa que el material dopado tiene una mayor cantidad de electrones libres que pueden moverse a través de la estructura cristalina. Por otro lado, el dopaje tipo P introduce impurezas que tienen electrones faltantes en su capa de valencia, lo que significa que el material dopado tiene una mayor cantidad de huecos en la estructura cristalina que pueden ser llenados por electrones.

Aplicaciones

Los semiconductores extrínsecos se utilizan ampliamente en la fabricación de dispositivos electrónicos, como transistores, diodos y circuitos integrados. Los semiconductores intrínsecos, por otro lado, se utilizan principalmente como materiales de referencia en la investigación y el desarrollo de nuevas tecnologías y dispositivos.

Ejemplos

Algunos ejemplos de semiconductores extrínsecos dopados con impurezas tipo N son el silicio dopado con fósforo y el germanio dopado con arsénico. Algunos ejemplos de semiconductores extrínsecos dopados con impurezas tipo P son el silicio dopado con boro y el germanio dopado con aluminio.

Conclusión

Los semiconductores extrínsecos se utilizan ampliamente en la fabricación de dispositivos electrónicos, mientras que los semiconductores intrínsecos se utilizan principalmente en la investigación y el desarrollo de nuevas tecnologías.

Tipos de materiales

Existen diferentes tipos de materiales, cada uno con sus propias características y propiedades. Algunos de los tipos de materiales más comunes son:

Materiales conductores

Los materiales conductores son aquellos que permiten que la corriente eléctrica fluya a través de ellos con facilidad. Algunos ejemplos de materiales conductores son:

  • Cobre
  • Aluminio
  • Hierro
  • Plata

Materiales aislantes

Los materiales aislantes son aquellos que no permiten que la corriente eléctrica fluya a través de ellos con facilidad. Algunos ejemplos de materiales aislantes son:

  • Mica
  • Vidrio
  • Goma
  • Madera

Materiales semiconductores

Los materiales semiconductores son aquellos que tienen una conductividad eléctrica intermedia entre la de los materiales conductores y la de los materiales aislantes. Algunos ejemplos de materiales semiconductores son:

  • Silicio
  • Germanio
  • Arseniuro de galio
  • Fosfuro de indio

Los materiales semiconductores son de gran importancia en la electrónica ya que se utilizan para la construcción de dispositivos como los transistores y los diodos. En particular, el silicio es el material semiconductor más utilizado en la fabricación de dispositivos electrónicos.

Un semiconductor intrínseco es aquel que no contiene impurezas intencionales y por lo tanto no tiene una carga neta. Esto significa que el número de electrones y huecos en el material es igual y la conductividad es baja. Sin embargo, es posible aumentar la conductividad del semiconductor intrínseco mediante la adición de impurezas, proceso conocido como dopaje.

En conclusión, el semiconductor intrínseco es un material muy importante en la producción de dispositivos electrónicos. Su alta pureza y estabilidad lo hacen ideal para su uso en la fabricación de chips y células solares, entre otros dispositivos. Sin embargo, su producción es costosa y compleja, lo que ha llevado a la búsqueda de alternativas más económicas y eficientes. A pesar de esto, el semiconductor intrínseco sigue siendo un elemento clave en la industria electrónica y se espera que siga siendo relevante en el futuro.

En conclusión, el semiconductor intrínseco es un material semiconductor puro que no contiene impurezas y, por lo tanto, no tiene carga neta. Esto lo convierte en un material ideal para muchos dispositivos electrónicos, como diodos y transistores. La conductividad del semiconductor intrínseco puede ser mejorada mediante la adición de impurezas, lo que se conoce como dopaje. En general, el semiconductor intrínseco es un componente fundamental en la fabricación de dispositivos electrónicos modernos y su uso se extiende a una amplia gama de aplicaciones en la industria y la electrónica.

JORGE CABRERA BERRÍOS Administrator
Ingeniero Electrónico por la UNI, con maestría y doctorado por la University of Electro-Communications (Japón).

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